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nanoplus InGaAsSb 光電二極管

簡要描述:nanoplus InGaAsSb 光電二極管具有響應(yīng)速度快、靈敏度高等特點(diǎn),非常適合用于高靈敏度氣體分析、過程控制和環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-10-09
  • 訪  問  量:900

詳細(xì)介紹

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應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工

nanoplus InGaAsSb 光電二極管

nanoplus 最新推出的InGaAsSb(銻砷化銦鎵)光電二極管,以分子束磊晶法(MBE)成長銻砷化銦鎵作為參雜材料,相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長范圍內(nèi),峰值波長為1880nm,采用TO5封裝,有效面積為?1mm,?2mm和?3mm,具有響應(yīng)速度快、靈敏度高等特點(diǎn),非常適合用于高靈敏度氣體分析、過程控制和環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。

nanoplus InGaAsSb 光電二極管主要特點(diǎn)

  • 波長范圍1000nm-2600nm

  • ?1mm,?2mm和?3mm有效面積

  • 采用TO5封裝,帶或不帶制冷器

應(yīng)用服務(wù)

  • 高靈敏度氣體分析

  • 過程控制、環(huán)境監(jiān)測

  • 各種分析儀器等

技術(shù)參數(shù)

nanoplus InGaAsSb(銻砷化銦鎵) 光電二極管主要參數(shù)特性:

主要參數(shù)特性 (T = 25 °C)符號單位標(biāo)準(zhǔn)
Spectral response rangeInm1000-2600
Peak sensitivity wavelengthIpnm1880
Peak responsivityRpA/W0.66
Dark current without biasIDnA95
Junction capacitanceCJpF41
Shunt resistanceRshΩ17



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